Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://hdl.handle.net/11701/39512
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Устинов Александр Борисович | ru_RU |
dc.contributor.advisor | Ustinov Aleksandr Borisovic | en_GB |
dc.contributor.author | Глазкова Дарья Алексеевна | ru_RU |
dc.contributor.author | Glazkova Dara Alekseevna | en_GB |
dc.contributor.editor | Шикин Александр Михайлович | ru_RU |
dc.contributor.editor | Sikin Aleksandr Mihajlovic | en_GB |
dc.date.accessioned | 2023-04-06T21:47:33Z | - |
dc.date.available | 2023-04-06T21:47:33Z | - |
dc.date.issued | 2022 | |
dc.identifier.other | 037604 | en_GB |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11701/39512 | - |
dc.description.abstract | Магнитный топологический изолятор MnBi2Te4 представляет собой многообещающую платформу для реализации квантового аномального эффекта Холла и других уникальных топологических эффектов. Однако, для этого запрещенная зона в точке Дирака должна располагаться на уровне Ферми. Одним из широко используемых способов сдвига точки Дирака в область уровня Ферми является частичное замещение атомов Bi атомами Sb. В данной работе представлены результаты исследований электронной структуры остовных уровней и валентной зоны для соединений Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при изменении концентрации (х) атомов Sb от 0 до 1. | ru_RU |
dc.description.abstract | Intrinsic magnetic topological insulator MnBi2Te4 provides a promising platform to implement the quantum anomalous Hall effect and other unique topological effects. However, to do this, the energy gap opening at the Dirac point point should be located at the Fermi level. One of the widely used methods to shift the Dirac point toward the Fermi level is the partial substitution of Bi atoms for Sb atoms. In this work, the electronic structure of the core levels and valence band of Mn(Bi1 – xSbx)2Te4 compounds with various concentration x of Sb atoms from 0 to 1 has been studied. | en_GB |
dc.language.iso | ru | |
dc.subject | магнитный топологический изолятор | ru_RU |
dc.subject | поверхностные состояния электронной структуры твердого тела | ru_RU |
dc.subject | фотоэлектронная спектроскопия | ru_RU |
dc.subject | magnetic topological insulator | en_GB |
dc.subject | surface states of the electronic structure of a solid | en_GB |
dc.subject | photoelectron spectroscopy | en_GB |
dc.title | Changes of electronic structure of magnetic topological insulators MnBi2Te4 upon doping with Sb atoms | en_GB |
dc.title.alternative | Изменение электронной структуры магнитных топологических изоляторов MnBi2Te4 при допировании атомами Sb | ru_RU |
Располагается в коллекциях: | MASTER'S STUDIES |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
vkr.docx | Article | 3,39 MB | Microsoft Word XML | Просмотреть/Открыть |
reviewSV_Otzyv.pdf | ReviewSV | 414,58 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
reviewSV_st037604_Glazkova_Dara_Alekseevna_(supervisor)(Ru).txt | ReviewSV | 7,95 kB | Text | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.