Отзыв научного руководителя
на выпускную магистерскую квалификационную работу Глазковой Дарьи Алексеевны «Изменение электронной структуры магнитных топологических изоляторов MnBi2Te4 при допировании атомами Sb»

Магистерская работа Глазковой Д.А.. посвящена изучению особенностей электронной структуры нового типа антиферромагнитного топологического изолятора (АФМ ТИ) MnBi2Te4 и ее изменений при замещении атомов Bi атомами Sb в широком диапазоне концентраций.  АФМ ТИ MnBi2Te4 характеризуется уникальными топологическими и магнитными свойствами, что позволяет реализовывать на его платформе уникальные квантовые эффекты, такие как квантовый аномальный эффект Холла, топологический магнитоэлектрический эффект, состояние аксионного изолятора и др. Данный материал характеризуется аномально большой энергетической запрещенной зоной, открываемой в точке Дирака, что позволяет надеяться на реализацию данных эффектов при комнатной температуре. Необходимым условием для этого является локализация открываемой запрещенной зоны в структуре топологических состояний на уровне Ферми. Однако данный материал в нормальных условиях характеризуется существенным сдвигом точки Дирака на 0.25-0.28 эВ ниже уровня Ферми. 
Выпускная квалификационная работа Глазковой Д.А. была посвящена изучению возможности сдвига точки Дирака на уровень Ферми путем замещения части атомов Bi атомами Sb в материалах типа Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при изменении концентрации допируемых атомов Sb в широком диапазоне для x = 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4 , 0.5 и 1. При этом основной упор делался на изучение изменений электронной структуры Дираковского конуса топологических состояний и состояний валентной зоны и зоны проводимости, а также остовных уровней входящих в структуру образца элементов при изменении уровня допирования атомами Sb. Исследования проводились методами фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней при различных энергиях фотонов и дифракции медленных электронов. Для однозначной взаимосвязи измеренных спектров остовных уровней и валентной зоны измерения проводились в одной и той же точке образца при одних и тех же условиях.
В результате исследований Глазковой Д.А. удалось установить, что допирование MnBi2Te4 атомами Sb приводит к постепенному сдвигу точки Дирака в сторону уровня Ферми. Сдвиг тем больше, чем больше концентрация допированных атомов Sb. При х=0.3 в формуле Mn(Bi1-xSbx)2Te4 точка Дирака достигает уровня Ферми. При дальнейшем росте концентрации атомов Sb точка Дирака и вся структура валентных и состояний зоны проводимости сдвигается выше уровня Ферми без существенного изменения общей электронной структуры. Выявлены различия в стехиометрическом составе исследуемых образцов - реальном и закладываемом при росте образцов. На основе комплекса проведенных исследований (включая метод резонансной фотоэлектронной спектроскопии) Глазковой Дарье удалось построить зависимость изменения положения точки Дирака в полном диапазоне возможных изменений концентраций (в том числе и выше уровня Ферми), вплоть до полной замены атомов Bi на Sb, и показать, что сдвиг точки Дирака аппроксимируется корневой зависимостью, что коррелирует с соответствующим линейным возрастанием плотности носителей заряда.
За время работы Глазковой Дарьей были освоены и успешно применены для своей научной работы методы фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением, методы рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии с анализом тонкой структуры спектров. Значительная часть работы выполнена Глазковой Д.А. самостоятельно. При выполнении работы ей было изучен и переработан большой объем научной литературы. При проведении работы ей были успешно освоены современные методы обработки экспериментальных данных и с успехом применены при обработке и анализе полученных экспериментальных результатов. С поставленными в рамках выпускной квалификационной работы задачами Глазкова Д.А. успешно справилась. 
За время работы в лаборатории Глазкова Д.А. проявила себя как высоко квалифицированный специалист, с большим интересом и энтузиазмом относящийся к изучаемой научной проблеме, и ответственно относящийся к порученной работе. Активно участвует в текущей деятельности лаборатории.
Считаю, что магистерская выпускная квалификационная работа Глазковой Д.А. заслуживает отличной оценки, а сама Глазкова Д.А. – присвоения ей степени магистра физики.

Проф. кафедры ЭТТ 
Физического факультета СПбГУ 
А.М. Шикин 
26.05.2022