Electronic properties of organic and metal oxide materials

Abstract

Целью данной работы стало установление структурных и электронных свойств двухслойной интерфейсной структуры на основе слоя MоO3, и органического полупроводникового слоя на основе молекул фталоцианина меди (CuPc). В ходе работы были синтезированы плёнки MoO3 толщиной от 10 нм до 150 нм методом магнетронного распыления. Проведён анализ химического состава полученных плёнок MoO3 методом ретнгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Методом атомно-силовой микроскопии установлена шероховатость поверхности плёнок MoO3. Методом рентгеноструктурного анализа установлен аморфных характер плёнок MoO3. Методом термического напыления синтезирована интерфейсная структура MoO3/CuPc. Методом ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии установлена структура максимумов валентной зоны и определены значения работы выхода плёнок MoO3 и интерфейсной структуры MoO3/CuPc.

The aim of this work was to establish the structural and electronic properties of a bilayer interface structure based on a MoO3 layer and an organic semiconductor layer based on copper phthalocyanine (CuPc) molecules. During the work, MoO3 films with a thickness of 10 nm to 150 nm were synthesized using magnetron sputtering. The chemical composition of the obtained MoO3 films was analyzed using X-ray photoelectron spectroscopy. The surface roughness of the MoO3 films was determined by atomic force microscopy. The amorphous nature of the MoO3 films was established using X-ray diffraction analysis. The MoO3/CuPc interface structure was synthesized by thermal evaporation. The valence band maximum structure and the work function values of the MoO3 films and the MoO3/CuPc interface structure were determined using ultraviolet photoelectron spectroscopy.