Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://hdl.handle.net/11701/2014
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Medvedev, Oleg | - |
dc.contributor.author | Vyvenko, Oleg | - |
dc.contributor.author | Bondarenko, Anton | - |
dc.date.accessioned | 2016-04-08T14:59:22Z | - |
dc.date.available | 2016-04-08T14:59:22Z | - |
dc.date.issued | 2015-09-05 | - |
dc.identifier.issn | 10637826 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11701/2014 | - |
dc.description.abstract | Using scanning electron microscopy in the cathodoluminescence mode, it is shown that straight segments of a-screw dislocations introduced by plastic deformation at room temperature into unintentionally doped low-resistance gallium nitride luminesce in the spectral range 3.1–3.2 eV at 70 K. The spectral composition of dislocation luminescence shows a fine doublet structure with a component width of ∼15 meV and splitting of ∼30 meV, accompanied by LO-phonon replicas. Luminescent screw dislocations move upon exposure to an electron beam and at low temperatures, but retain immobility for a long time without external excitation. Optical transitions involving the quantum-well states of a stacking fault in a split-dislocation core are considered to be the most probable mechanism of the observed phenomenon. | en_GB |
dc.language.iso | en | en_GB |
dc.publisher | Maik Nauka-Interperiodica Publishing | en_GB |
dc.subject | GaN | en_GB |
dc.subject | Dislocations | en_GB |
dc.subject | Luminescence | en_GB |
dc.title | On the luminescence of freshly introduced a-screw dislocations in low-resistance GaN | en_GB |
dc.type | Article | en_GB |
Располагается в коллекциях: | Articles |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
On the luminescence of fresh dislocations.pdf | 2,1 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.