Epitaxial growth and optical properties of low dimensional structures based on A₃B₅ compounds

Abstract

Квантовые точки (КТ) GaAs/AlGaAs полученные заполнением отверстий, образованных при локальном травлении капель, могут использоваться во многих устройствах фотоники. В данной работе с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии были выращены образцы с КТ. Путем уменьшения температуры подложки во время осаждения галлия был получен образец с увеличенной в 4 раза плотностью КТ. С помощью спектроскопии фотолюминесценции были обнаружены различные области локализации в образцах (КТ А, КТ B, квантовая яма). В спектре отражения обнаружены тяжелодырочные и легкодырочные экситоны в квантовой яме.

Quantum dots (QDs) GaAs/AlGaAs obtained by infilling nanoholes formed by local droplet etching can be used in many photonic devices. In this work, samples with QDs were grown using molecular beam epitaxy. By decreasing the substrate temperature during the deposition of gallium, a sample with a fourfold increase in the QD density was obtained. Using photoluminescence spectroscopy, various localization regions the samples were detected (QD A, QD B, quantum well) . The reflectance spectrum revealed heavy-hole and light-hole excitons in the quantum well.