Planar III-V semiconductor heterostructures: Fabrication and optical properties

Abstract

Полупроводниковые планарные гетероструктуры представляют собой кристаллы из последовательно расположенных слоев различных полупроводников. Такие кристаллы обладают интересными оптическими свойствами и могут быть использованы для создания нового вида архитектуры вычислительных систем – оптического компьютера. Гетероструктуры выращиваются методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Этот метод подразумевает контролируемый послойный рост образца, и потому отлично подходит для такой задачи. В данной работе исследуются оптические свойства гетероструктуры P483, содержащей две квантовые ямы, сравнивается спектр резонансного отражения и спектр нерезонансной люминесценции.

Planar semiconductor heterostructures are crystals composed of consequentual layers of different semiconductors. Such crystals have interesting optical properties and can be used for developing a new computer architecture - the optical computer. Heterostructures are grown via molecular-beam epitaxy. This method implies a controlled layer-by-layer growth of the sample and fits such a task perfectly. In this paper the optical properties of P483 heterostructure are studied. The sample contains 2 quantum wells; the goal is to compare the resonance reflection and the nonresonance luminescence spectra.