ОТЗЫВ
Научного руководителя на бакалаврскую работу студента 4 курса математико-механического факультета  Шилова   Ильи Геннадьевича 
«Математическое  моделирование динамики электронного пучка у поверхности тела в бесстолкновительной плазме».

      В бакалаврской работе Шилова И.Г. рассмотрена задача динамики электронного пучка, инжектируемого с борта космического аппарата (КА), находящегося на орбите безатмосферного небесного тела (БНТ), перпендикулярно поверхности указанного тела с целью дистанционного элементного анализа поверхностных пород БНТ, основанного на спектрометрии характеристического рентгеновского излучения, искусственно возбуждаемого в поверхностном слое грунта. Электронный пучок при торможении в грунте небесного тела, возбуждает рентгеновское излучение, которое может быть проанализировано детектором, находящимся на борту КА. По спектру этого излучения возможно определение элементного состава поверхностного грунта БНТ.  Расчеты динамики электронного пучка, приведены для случая зондирования поверхности Луны с орбитального КА. В связи  с планируемыми в ближайшие десятилетия экспедициями на Луну и Марс для изучения элементного состава грунта, плазменного слоя вокруг данных планет и разработкой новых космических средств дистанционного анализа безатмосферных небесных тел,  тема бакалаврской работы Шилова И.Г. можно считать весьма актуальной.
       В первой главе численными методами решается задача о радиальной динамике электронного пучка, инжектируемого с орбитального КА в направлении, нормальном к поверхности планеты. Для конкретного примера выбран случай  зондирования  поверхности Луны при наличии лунной ионосферы. В результате численного анализа уравнения огибающей электронного пучка найдены его характерные радиусы  в зависимости от энергии и тока пучка.  
     Во второй главе сформулирована система уравнений для расчета потенциала и радиуса экранной системы, которая должна компенсировать нарастающий заряд на борту КА при инжекции электронного пучка. Указанные уравнения приведены для случая нерелятивистского электронного пучка, который требуется для зондирования поверхности БНТ. На примере зондирования поверхности Луны с борта орбитального КА получены зависимости электростатического потенциала экрана в зависимости от температуры и концентрации лунной ионосферной плазмы в стационарной постановке задачи. Также рассчитаны радиусы сферической экранной системы в зависимости от полного тока пучка и его энергии при фиксированных параметрах лунной ионосферы. Дано обоснование полученных результатов. 
            Можно отметить, что в результате проверки ВКР Шилова И.Г. на предмет наличия/отсутствия неправомерных заимствований обнаружено: неправомерных заимствований в тексте - 0%, правомерных заимствований  - 8 % , всюду сделаны ссылки на первоисточники.
       Работа Шилова И.Г. содержит новые результаты, полученные лично автором, работа содержит полностью аргументированные выводы, изложение свободно от неточностей. В ВКР Шилова И.Г. подробно описан научный контекст решаемой задачи, всюду указаны необходимые источники, по своему содержанию и оформлению работа соответствует всем требованиям.
        Отметим, что содержание выпускной квалификационной работы Шилова И.Г. соответствует названию темы работы, тема раскрыта в определенной степени полностью, дано достаточно адекватное обоснование полученных результатов.
       Несколько результатов ВКР Шилова И.Г. можно рекомендовать к публикации в открытой научной печати, а сам автор может быть рекомендован к поступлению в магистратуру.
       В связи с вышесказанным считаю, что бакалаврская работа Шилова Ильи Геннадьевича «Математическое  моделирование динамики электронного пучка у поверхности тела в бесстолкновительной плазме» удовлетворяет требованиям, предъявляемым к выпускным бакалаврским работам, а сам автор заслуживает оценки «отлично».
                                                                             Доцент кафедры физической
                                                                             механики мат.-мех. факультета
                                                                             СПбГУ, кандидат физ.-мат. наук
                                                                              А.С.Мануйлов