ОТЗЫВ научного руководителя на выпускную квалификационную работу  Шапенкова Севастьяна Владимировича «Структура ядра дислокаций и рекомбинационные свойства нитрида галлия», представленную на соискание степени магистра физики  Шапенков Севастьян Владимирович поступил в магистратуру на кафедру Электроники Твердого тела после окончания геологического факультета СПбГУ по кафедре кристаллографии. За два года учебы в магистратуре он успешно восполнил недостающие базовые знания по общей физике и приобрел обширные знания по специальным дисциплинам магистерской программы. Кроме того, он прошел месячную стажировку в Германии в Геттингенском университете, где освоил новые приемы в исследованиях с помощью просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). В качестве темы исследования ему было предложено с помощью техники ПЭМ получить данные по структуре ядер свежевведенных винтовых дислокаций в нитриде галлия, которые, как было недавно обнаружено в нашей лаборатории, являются источниками собственной полосы люминесценции.  Шапенков С.В. успешно справился с поставленной задачей, несмотря на техническую сложность ее осуществления. Он разработал новый, весьма трудоемкий, метод приготовления фольг для ПЭМ, а для введения дислокаций применил технику наноиндентирования. Проведенные им исследования позволили впервые установить прямую корреляцию между люминесцентными свойствами и структурой ядер дислокаций в нитриде галлия.  Полученные им результаты вошли составной частью в научную статью, опубликованную в высокорейтинговом журнале Journal of applied physics, соавтором которой он является, а также в тезисы докладов на двух международных научных конференциях.  Считаю, что Шапенков Севастьян Владимирович заслуживает присвоения квалификации магистра физики, а его диссертация по своему содержанию и оформлению достойна отличной оценки.  «__1__» 06_2018 г.          ____________                      проф. Вывенко О.Ф.